Алфёров, Жорес Иванович

Жорес Иванович Алфёров
Научная сфера	физика полупроводников
Место работы	РАН, СПб АУ РАН
Альма-матер	Ленинградский электротехнический институт
Учёная степень	кандидат технических наук (1961), доктор физико-математических наук (1970)
Учёное звание	профессор (1972), академик АН СССР (1979), академик РАН (1991)
Награды и премии	Нобелевская премия по физике (2000) Других государств:

Жоре́с Ива́нович Алфёров (15 марта 1930, Витебск — 1 марта 2019, Санкт-Петербург) — советский и российский учёный-физик, политический деятель.

Лауреат Нобелевской премии по физике (2000 год, за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов).

Вице-президент РАН с 1991 до 2017 год. Председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН.

Член-корреспондент АН СССР (1972), Академик АН СССР (1979), Академик РАН (1991).

Иностранный член Национальной академии наук США (1990) и Национальной инженерной академии США (1990), Корейской академии наук и технологий (1995), Китайской академии наук, Польской академии наук (1988), член Академий наук Республики Беларусь (1995), Молдавии (2000), Азербайджана (2004), почётный член Национальной академии наук Армении (2011).

Член КПСС. Депутат Государственной думы Федерального Собрания РФ II—VII созывов (1995—2019). В 1989 году был избран народным депутатом СССР от АН СССР, в декабре 1995 года Алфёров был избран в Государственную думу второго созыва от движения «Наш дом — Россия»; в 1999, 2003, 2007, 2011, 2016 годах переизбирался депутатом Госдумы РФ по партийным спискам КПРФ, не являясь членом партии.

Биография

Родился 15 марта 1930 года в белорусско-еврейской семье в Витебске. Первые воспоминания из Минска, который лежал в руинах. Жорес получил имя в честь Жана Жореса. Довоенные годы провёл в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое, куда направляли отца — к тому времени выпускника Архангельской промакадемии и инженера; мать работала библиотекарем.

Перед Великой Отечественной войной семья Алфёровых переехала в Туринск, где его отец работал директором целлюлозно-бумажного завода, и после её окончания вернулась в разрушенный войной Минск. Старший брат — Маркс Иванович Алфёров (1924—1944) — погиб на фронте.

В 1944 году стал членом ВЛКСМ.

Окончил в 1947 г. с золотой медалью среднюю школу № 42 в Минске и по совету учителя физики Якова Борисовича Мельцерзона несколько семестров отучился в Белорусском политехническом институте (ныне — БНТУ) г. Минска на энергетическом факультете, после чего поехал поступать в Ленинград, в ЛЭТИ. В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ), куда был принят без экзаменов, а потом семья переехала в Ленинград в связи с переводом отца на новое место работы.

С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе, где был младшим научным сотрудником в лаборатории В. М. Тучкевича и принимал участие в разработке первых советских транзисторов и силовых германиевых приборов. Кандидат технических наук (1961).

Свой первый патент в области гетеропереходов Алфёров получил в марте 1963 года. Гетеропереходы он исследовал вместе с Рудольфом Казариновым. Учёные добились того, что заработал полупроводниковый лазер, который теперь применяется в оптико-волоконной связи и в проигрывателях компакт-дисков.

В 1969 году идеи открытия гетеропереходов начали применяться в солнечных батареях и в сфере лазерной глазной хирургии.

В 1965 году член КПСС.

В 1970 году Алфёров защитил докторскую диссертацию, обобщив новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках, и получил степень доктора физико-математических наук.

Зимой 1971 года Алфёров улетел в США, где Франклиновский институт присудил ему медаль Стюарта Баллантайна — за разработку гетеролазера.

В 1972 году Алфёров стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

В 1976 году сотрудники лаборатории контактных явлений ЛФТИ под руководством Алфёрова получили премию Ленинского комсомола за получение и исследование широкозонных твёрдых растворов соединений $A_{3}B_{5}$ и создание на их основе эффективных инжекционных источников излучения в видимой части спектра.

С 1989 г. по 1992 г выбирается народным депутатом СССР.

С начала 1990-х годов Алфёров занимался исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек. С 1987 по май 2003 года — директор ФТИ им. А. Ф. Иоффе.

В декабре 2000 года Алфёров удостоен Нобелевской премии в области физики в сфере физики полупроводников совместно с учёными Г.Кремером и Д.Килби (США) в создании основ современных IT-технологий.

В 2003 году Алфёров оставил пост руководителя ФТИ и до 2006 года был председателем учёного совета института. Впоследствии Алфёров сохранял влияние на ФТИ и на ряд связанных с ним научных структур: НТЦ Центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур, научно-образовательный комплекс (НОК) Физико-технического института и Физико-техническая школа в Санкт-Петербурге при физико-техническом лицее. С 1988 г. (момента основания) декан Физико-технического факультета СПбГПУ.

В 1990—1991 годах — вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра.

В 1990-х годах создал техническую компанию, её оборот достигал порядка 100 тысяч долларов в год.

С 1995 году до кончины депутат Государственной думы Федерального собрания РФ.

С 2003 года — председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН. Академик АН СССР (1979), затем РАН, почётный академик Российской академии образования. Вице-президент РАН, председатель президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН. Главный редактор «Писем в Журнал технической физики».

Был главным редактором журнала «Физика и техника полупроводников», членом редакционной коллегии журнала «Поверхность: Физика, химия, механика», членом редакционной коллегии журнала «Наука и жизнь». Был членом правления Общества «Знание» РСФСР.

Являлся инициатором учреждения в 2002 году премии «Глобальная энергия», до 2006 года возглавлял Международный комитет по её присуждению. Считается, что присуждение этой премии самому Алфёрову в 2005 году стало одной из причин оставления им этого поста.

Является ректором-организатором нового Академического университета.

С 2001 года Президент Фонда поддержки образования и науки (Алфёровского фонда).

5 апреля 2010 года было объявлено о назначении Алфёрова научным руководителем инновационного центра в Сколково.

С 2010 года — сопредседатель Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».

В 2013 году баллотировался на пост президента РАН и, получив 345 голосов, занял второе место.

С 2016 по 2019 гг — Член комитета Госдумы по делам СНГ, евразийской интеграции и связям с соотечественниками (2016—2019).

Автор более 500 научных работ, трёх монографий и 50 изобретений. Член редакционного совета радиогазеты «Слово». Председатель Редакционной коллегии журнала «Нанотехнологии Экология Производство» . Учредил Фонд поддержки образования и науки для поддержки талантливой учащейся молодёжи, содействия её профессиональному росту, поощрения творческой активности в проведении научных исследований в приоритетных областях науки. Первый вклад в Фонд был сделан Жоресом Алфёровым из средств Нобелевской премии.

Умер 1 марта 2019 года от острой сердечно-лёгочной недостаточности. Церемония прощания прошла 5 марта в Санкт-Петербургском научном центре РАН, похоронен в тот же день на Комаровском кладбище под Петербургом.

Награды и премии

Награды России

• Полный кавалер ордена «За заслуги перед Отечеством»:
  • Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени (14 марта 2005), II степени (2000), III степени (4 июня 1999), IV степени (15 марта 2010)
• Орден Александра Невского (16 июля 2015)
• Почётное звание «Заслуженный энергетик Российской Федерации» (21 июня 1996)
• Государственная премия Российской Федерации 2001 года в области науки и техники (5 августа 2002)
• Почётная грамота Правительства Российской Федерации (14 ноября 2011)

Награды СССР

Ордена

• Орден Ленина (1986)
• Орден Октябрьской Революции (14 марта 1980)
• Орден Трудового Красного Знамени (1975)
• Орден «Знак Почёта» (1959)

Медали

• Ленинская премия (1972)
• Государственная премия СССР (1984)

Иностранные награды

• Офицер ордена Почётного легиона (Франция)
• Медаль «Дружба» (Куба, 2008)

Прочие награды и звания

• Медаль Стюарта Баллантайна (Институт Франклина, США, 1971)
• Хьюллет-Паккардовская премия (Европейское физическое общество, 1978)
• Золотая медаль Генриха Велкера от Симпозиума по GaAs (1987)
• Премия имени Карпинского (ФРГ, 1989)
• XLIX Менделеевский чтец — 19 февраля 1993 года
• Премия имени А. Ф. Иоффе (РАН, 1996)
• Почетный доктор СПбГУП с 1998 года
• Демидовская премия (Научный Демидовский фонд, Россия, 1999)
• Золотая медаль имени А. С. Попова (РАН, 1999)
• Премия Ника Холоньяка (Оптическое общество Америки, 2000)
• Нобелевская премия (Швеция, 2000)
• Почётный гражданин Санкт-Петербурга (2001)
• Почётный диплом Законодательного Собрания Санкт-Петербурга (2 марта 2005)
• Премия Киото (Инамори фонд, Япония, 2001)
• Премия «Российский Национальный Олимп». Титул «Человек-легенда» (РФ, 2001)
• Золотая медаль SPIE (SPIE, 2002)
• Награда «Золотая тарелка» (Академия достижений, США, 2002)
• Почётный гражданин Минска (Белоруссия, 2002)
• Звание Почётного профессора Московского Педагогического Государственного Университета (2002)
• Международная энергетическая премия «Глобальная энергия» (Россия, 2005)
• Звание и медаль Почётного профессора МФТИ (2008)
• Медаль «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий» от ЮНЕСКО (2010)
• Международная премия Карла Боэра (2013)

Увековечение памяти

Почтовая марка России 2020 года из серии «Лауреаты Нобелевской премии» с портретом Ж. И. Алфёрова и изображением полупроводникового гетеролазера (ЦФА [АО «Марка»] № 2617)

22 февраля 1997 года присвоено имя Астероиду (3884) Alferov. Астероид был открыт 13 марта 1977 года Н. С. Черных в Крымской астрофизической обсерватории.

Три общеобразовательных учреждения носят ммя Ж. И. Алфёрова: гимназия № 42 города Минска, гимназия № 1 города Витебска и средняя общеобразовательная школа № 2 города Туринска.

16 апреля 2019 года в Санкт-Петербурге открыли памятник Ж. И. Алфёрову работы Зураба Церетели. Памятник установлен в холле Академического университета, основанного Алфёровым.

25 апреля 2019 года в Северном (Арктическом) университете им. М. В. Ломоносова, гор. Архангельск, открыта именная аудитория Ж. И. Алфёрова.

30 августа 2019 года имя Ж. И. Алфёрова присвоено Академическому университету Санкт-Петербурга.

В ноябре 2019 года имя было присвоено саду в Санкт-Петербурге, между ул. Верности и пр. Науки.

15 марта 2020 года в Санкт-Петербурге (на доме по Мичуринской улице, 1, где физик жил в 2001—2019 гг.) открыли мемориальную доску Алфёрову (автор Энгель Насибулин); в этот день академику исполнилось бы 90 лет.

В 2020 году АО «Марка» выпущена почтовая марка, посвящённая Ж. И. Алфёрову. На почтовой марке изображён портрет Алфёрова и полупроводниковый гетеролазер, на полях марочного листа — цитата и чертежи учёного. Номинал марки 50 рублей, размер 32,5×32,5 мм, тираж — 126 тыс. экземпляров.

В различных учебных заведениях учреждены персональные стипендии имени Ж. И. Алфёрова.

Премия Правительства Санкт-Петербурга за выдающиеся научные результаты в области науки и техники: в номинации нанотехнологии — премия им. Ж. И. Алфёрова.

В 2021 году в городе Витебске, где родился Жорес Иванович Алфёров, появилась улица, названная его именем(в новом микрорайоне Черёмушки).

Публикации

Книги

• Алфёров Ж. И. Физика и жизнь. — СПб.: Наука, 2001.
• Алфёров Ж. И. Власть без мозгов. Кому мешают академики. — М.: Алгоритм, 2013. — 320 с. — ISBN 978-5-4438-0521-4.

Основные статьи и патенты

• Алфёров Ж. И., Казаринов Р. Ф. Полупроводниковый лазер с электрической накачкой // Авторское свидетельство на изобретение. — № 181737. — 30 марта 1963.
• Алфёров Ж. И., Халфин В. Б., Казаринов Р. Ф. Об одной особенности инжекции в гетеропереходах // Физика твёрдого тела. — 1967. — Т. 8. — С. 3102—3105.
• Алфёров Ж. И., Гарбузов Д. З., Григорьева В. С., Жиляев Ю. В., Крадинова Л. В., Корольков В. И., Морозов Е. П., Нинуа О. А., Портной Е. Л., Прочухан В. Д., Трукан М. К. Инжекционная люминесценция эпитаксиальных гетеропереходов в системе GaP — GaAs // Физика твёрдого тела. — 1967. — Т. 9. — С. 279—282.
• Алфёров Ж. И., Андреев В. М., Корольков В. И., Третьяков Д. Н., Тучкевич В. М. Высоковольтные p—n-переходы в кристаллах Ga$_{x}$Al$_{1-x}$As // Физика и техника полупроводников. — 1967. — Т. 1. — С. 1579—1581.
• Алфёров Ж. И., Андреев В. М., Портной Е. Л., Трукан М. К. Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs — GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре // Физика и техника полупроводников. — 1969. — Т. 3. — С. 1328—1332.
• Алфёров Ж. И., Андреев В. М., Каган М. Б., Протасов И. И., Трофим В. Г. Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов p-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As — n-GaAs // Физика и техника полупроводников. — 1970. — Т. 4. — С. 2378—2379.
• Алфёров Ж. И., Андреев В. М., Казаринов Р. Ф., Портной Е. Л., Сурис Р. А. Полупроводниковый оптический квантовый генератор // Авторское свидетельство на изобретение. — № 392875. — 19 июля 1971.
• Алфёров Ж. И., Ахмедов Ф. А., Корольков В. И., Никитин В. Г. Фототранзистор на основе гетеропереходов в системе GaAs — AlAs // Физика и техника полупроводников. — 1973. — Т. 7. — С. 1159—1163.
• Алфёров Ж. И., Гуревич С. А., Казаринов Р. Ф., Мизеров М. Н., Портной Е. Л., Сейсян Р. П., Сурис Р. А. ПКГ со сверхмалой расходимостью излучения // Физика и техника полупроводников. — 1974. — Т. 8. — С. 832—833.
• Алфёров Ж. И., Андреев В. М., Воднев А. А., Конников С. Г., Ларионов В. Р., Погребицкий К. Ю., Румянцев В. Д., Хвостиков В. П. AlGaAs-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией // Письма в ЖТФ. — 1986. — Т. 12. — С. 1089—1093.
• Kirstaedter N., Ledentsov N. N., Grundmann M., Bimberg D., Ustinov V. M., Ruvimov S. S., Maximov M. V., Kop’ev P. S., Alferov Z. I., Werner P., Gösele U., Heydenreich J., Richter U. Low threshold, large $T_{0}$ injection laser emission from (InGa)As quantum dots // Electronics Letters. — 1994. — Vol. 30. — P. 1416—1417. — doi:10.1049/el:19940939.
• Grundmann M., Christen J., Ledentsov N. N., Böhrer J., Bimberg D., Ruvimov S. S., Werner P., Richter U., Gösele U., Heydenreich J., Ustinov V. M., Egorov A. Yu., Zhukov A. E., Kop'ev P. S., Alferov Zh. I. Ultranarrow luminescence lines from single quantum dots // Physical Review Letters. — 1995. — Vol. 74. — P. 4043—4046. — doi:10.1103/PhysRevLett.74.4043.
• Алферов Ж. И., Гордеев Н. Ю., Зайцев С. В., Копьев П. С., Кочнев И. В., Комин В. В., Крестников И. Л., Леденцов Н. Н., Лунев А. В., Максимов М. В., Рувимов С. С., Сахаров А. В., Цацульников А. Ф., Шерняков Ю. М., Бимберг Д. Низкопороговый инжекционный гетеролазер на квантовых точках, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений // Физика и техника полупроводников. — 1996. — Т. 30. — С. 357—363.
• Алфёров Ж. И. Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии (Нобелевская лекция) (рус.) // Успехи физических наук. — Российская академия наук, 2002. — Т. 172. — С. 1068—1086. — doi:10.3367/UFNr.0172.200209e.1068.